반도체 건식 식각 장비용 CVD SiC 부품

CVD SiC 부품은 반도체 전공정 장비에 사용되는 고순도 탄화규소 부품입니다. 주로 건식 식각, 에피택시, 확산, 산화, 급속 열처리 및 고온 플라즈마 공정 장비에 적용됩니다.

이 제품은 공정 챔버 내부에서 전극, 링, 엣지 보호 부품, 지지 부품, 플라즈마 제어 부품 및 챔버 보호 부품으로 사용됩니다. CVD SiC는 높은 순도, 우수한 플라즈마 부식 저항성, 높은 열전도율, 낮은 파티클 발생, 우수한 내마모성 및 정밀 가공성을 갖추고 있어 까다로운 반도체 제조 환경에 적합합니다.

기존 실리콘, 석영, 흑연 또는 일반 세라믹 부품과 비교했을 때, CVD SiC 부품은 불소계 및 염소계 플라즈마 환경에서 더 안정적인 성능을 제공하며, 장비 유지보수 주기 연장과 공정 안정성 향상에 도움이 됩니다.

기본 제품 정보

항목	사양
제품명	반도체 건식 식각 장비용 CVD SiC 부품
브랜드	ZMSH
원산지	중국
재료	CVD 다결정 탄화규소, 실리콘, 석영 선택 가능
주요 제품	SiC 링, SiC 전극, 엣지 링, 보호 링, 챔버 링, 맞춤형 SiC 부품
최대 직경	CVD SiC 링 최대 370 mm, CVD SiC 전극 최대 330 mm
저항률	저저항 <0.02 Ω·cm, 중저항 0.2–25 Ω·cm, 고저항 >100 Ω·cm
RRG	<5%
표면 상태	연삭, 래핑, 폴리싱 가능
가공 정밀도	<10 μm
순도	CVD 다결정 SiC 기준 최대 99.99997%
적용 공정	건식 식각, 에피택시, 확산, 산화, 급속 열처리
최소 주문 수량	2개
포장 방식	맞춤형 보호 포장 및 수출용 포장
결제 조건	T/T
가격	도면 및 사양에 따라 별도 견적
공급 방식	주문 제작

제품 특징

특징	설명
고순도 소재	금속 오염 위험을 줄여 반도체 전공정 환경에 적합합니다.
우수한 플라즈마 부식 저항성	불소계 및 염소계 플라즈마 환경에서 안정적인 성능을 유지합니다.
높은 열전도율	공정 중 열 분포 균일성과 온도 안정성 향상에 도움이 됩니다.
낮은 파티클 발생	조밀한 CVD SiC 구조와 정밀 표면 처리를 통해 파티클 발생을 줄일 수 있습니다.
높은 경도와 내마모성	반복적인 플라즈마 노출 및 장기 사용 조건에서도 우수한 내구성을 제공합니다.
정밀 맞춤 가공	외경, 내경, 홀, 홈, 단차, 모따기 및 표면 조건을 도면에 따라 제작할 수 있습니다.

제품 설명

CVD SiC 부품은 화학기상증착 공정으로 제조된 다결정 탄화규소 부품입니다. 고순도, 고밀도, 높은 열전도율 및 우수한 플라즈마 저항성을 갖추고 있어 반도체 건식 식각 챔버와 고온 공정 장비에 널리 사용됩니다.

건식 식각 장비에서는 SiC 링과 SiC 전극이 챔버 내부에 설치되어 플라즈마 반응 제어, 웨이퍼 엣지 보호, 가스 흐름 제어, 챔버 보호 및 식각 균일성 향상 역할을 합니다. 이러한 부품은 플라즈마, 공정 가스 및 고온 환경에 직접 노출되기 때문에 높은 내식성, 낮은 오염도 및 안정적인 치수 정밀도가 요구됩니다.

ZMSH는 고객 도면, 샘플 또는 장비 요구 사항에 따라 CVD SiC 링, CVD SiC 전극, 엣지 링, 보호 링, 챔버 링 및 기타 맞춤형 SiC 정밀 부품을 공급할 수 있습니다.

건식 식각 챔버의 주요 부품

부품	재료 선택	주요 기능
내부 전극	실리콘, CVD SiC	플라즈마 반응 제어 및 전극 시스템 구성
외부 전극	실리콘, CVD SiC	내부 전극과 함께 식각 균일성 향상
엣지 링	실리콘, CVD SiC	웨이퍼 가장자리 보호 및 엣지 식각 성능 개선
고온 엣지 링	실리콘, CVD SiC	고온 및 플라즈마 노출 영역에서 웨이퍼 엣지 보호
C-슈라우드 링	실리콘	챔버 보호 및 플라즈마 또는 가스 흐름 제어
접지 커버 링	석영	접지, 절연 및 챔버 보호
커플 링	석영	챔버 내부 지지 및 결합 부품
석영 링	석영	밀봉, 지지 또는 절연용 부품

주요 제품 시리즈

1. CVD SiC 링

CVD SiC 링은 건식 식각, 에피택시, 급속 열처리 및 기타 반도체 공정 장비에서 엣지 링, 보호 링, 지지 링 및 챔버 링으로 사용됩니다. 우수한 플라즈마 저항성, 높은 열전도율 및 장기 사용 안정성을 제공합니다.

항목	사양
재료	CVD 다결정 SiC
최대 직경	최대 370 mm
저항률	저저항 <0.02 Ω·cm, 중저항 0.2–25 Ω·cm, 고저항 >100 Ω·cm
RRG	<5%
표면 상태	연삭, 래핑, 폴리싱 가능
가공 정밀도	<10 μm
품질 검사	칩, 스크래치, 균열, 오염 및 기타 외관 결함 없음
적용 분야	엣지 링, 보호 링, 챔버 링, 지지 링, 건식 식각용 링

2. CVD SiC 전극

CVD SiC 전극은 반도체 건식 식각 장비에 사용되는 핵심 소모성 부품입니다. 기존 실리콘 전극과 비교하여 CVD SiC 전극은 더 우수한 플라즈마 부식 저항성, 높은 경도 및 긴 사용 수명을 제공합니다.

항목	사양
재료	CVD 다결정 SiC
최대 직경	최대 330 mm
저항률	저저항 <0.02 Ω·cm, 중저항 0.2–25 Ω·cm, 고저항 >100 Ω·cm
RRG	<5%
표면 상태	연삭, 래핑, 폴리싱 가능
가공 정밀도	<10 μm
품질 검사	칩, 스크래치, 균열, 오염 및 기타 외관 결함 없음
적용 분야	건식 식각 전극, 플라즈마 전극, 챔버 전극 부품

3. 실리콘 전극

실리콘 전극은 성숙한 건식 식각 공정 장비에서 널리 사용되는 전극 부품입니다. 장비 유지보수, 소모품 교체 및 기존 공정용 부품으로 적합합니다.

항목	사양
재료	단결정 실리콘
최대 직경	최대 480 mm
저항률	저저항 <0.02 Ω·cm, 중저항 1–4 Ω·cm, 고저항 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
가스 홀 직경	0.2–0.8 mm
표면 상태	폴리싱, 래핑, 연삭
가공 정밀도	<10 μm
품질 검사	칩, 스크래치, 균열, 오염 및 기타 외관 결함 없음
적용 분야	건식 식각 전극, 플라즈마 챔버 전극, 장비 교체 부품

4. 실리콘 링

실리콘 링은 식각 챔버 내부에서 웨이퍼 엣지 보호, 지지, 절연 및 플라즈마 제어 역할을 합니다. 성숙한 건식 식각 공정과 장비 유지보수용 부품으로 사용됩니다.

항목	사양
재료	단결정 실리콘, 다결정 실리콘
최대 직경	최대 480 mm
저항률	저저항 <0.02 Ω·cm, 중저항 1–4 Ω·cm, 고저항 70–90 Ω·cm
RRG	<5%
표면 상태	폴리싱, 래핑, 연삭
가공 정밀도	<10 μm
품질 검사	칩, 스크래치, 균열, 오염 및 기타 외관 결함 없음
적용 분야	엣지 링, 지지 링, 챔버 링, 건식 식각용 링

CVD 다결정 SiC의 재료 특성

CVD 다결정 SiC는 화학기상증착 방식으로 제조되며, 조밀한 구조, 높은 순도, 우수한 부식 저항성 및 반도체 청정 공정 환경에서의 높은 안정성을 제공합니다.

특성	단위	일반 값
밀도	g/cm³	3.21–3.22
굽힘 강도	MPa	320–380
열전도율	W/m·K	240–360
결정립 크기	μm	5–10
순도	%	99.99997
비커스 미세경도	HV	3100–3700
탄성계수	GPa	450–530
XRD 비율	–	0.65–1.1
열팽창계수, 상온–1000°C	10⁻⁶/K	4.8–5.1

제품 장점

고순도

CVD 다결정 SiC의 순도는 최대 99.99997% 수준까지 가능하여 반도체 전공정 챔버 내 금속 오염 위험을 줄이는 데 도움이 됩니다.

우수한 플라즈마 부식 저항성

CVD SiC는 불소계 및 염소계 플라즈마 환경에서 우수한 안정성을 유지합니다. 부품 마모, 파티클 발생 및 챔버 오염을 줄이는 데 유리합니다.

높은 열전도율

240–360 W/m·K의 높은 열전도율을 통해 플라즈마 및 고온 공정 장비에서 열 분포 균일성과 공정 일관성을 개선할 수 있습니다.

고온 안정성

CVD SiC 부품은 건식 식각, 에피택시, 확산, 급속 열처리 등 다양한 반도체 공정 환경에서 안정적으로 사용할 수 있으며, 장기 사용 중에도 우수한 치수 안정성을 유지합니다.

높은 경도와 내마모성

CVD SiC는 높은 비커스 경도를 갖추고 있어 플라즈마 노출 및 반복 사용 조건에서도 뛰어난 내마모성을 제공합니다.

낮은 파티클 발생

조밀한 CVD SiC 구조와 정밀 표면 처리를 통해 공정 중 파티클 발생을 줄이고 챔버 청정도를 유지하는 데 도움이 됩니다.

맞춤형 정밀 가공

외경, 내경, 두께, 홀, 홈, 단차, 모따기, 가스 홀, 표면 상태 및 조립 정밀도 등을 고객 도면에 따라 맞춤 제작할 수 있습니다.

적용 분야

적용 분야	주요 용도
건식 식각 장비	SiC 링, SiC 전극, 엣지 링, 보호 링, 챔버 링
에피택시 장비	고순도 SiC 지지 부품, 챔버 부품, 고온 공정 부품
확산로 장비	고온 내성이 요구되는 SiC 구조 부품
급속 열처리 장비	열처리 지지 부품 및 정밀 SiC 부품
반도체 장비 제조	맞춤형 챔버 부품 및 소모성 부품
웨이퍼 팹 유지보수	건식 식각 및 열처리 장비용 교체 부품
화합물 반도체 공정	Si, SiC, GaN, GaAs 웨이퍼 공정 장비 부품

맞춤 제작 가능 항목

맞춤 항목	설명
외경 및 내경	장비 구조와 조립 요구에 따라 제작 가능
두께 및 단차 구조	공정 조건과 장비 설계에 따라 조정 가능
가스 홀	홀 직경, 수량, 배열 방식 맞춤 가능
홈 및 슬롯	공정 흐름, 플라즈마 제어 및 조립 구조에 따라 가공 가능
모따기 및 엣지 형상	파손 방지와 조립 안정성을 고려하여 설계 가능
표면 상태	연삭, 래핑, 폴리싱 등 선택 가능
저항률 등급	저저항, 중저항, 고저항 사양 선택 가능
조립 공차	고객 장비 요구에 따라 정밀 제어 가능
세정 및 검사	반도체 공정 요구에 맞춘 검사 조건 적용 가능
보호 포장	정밀 세라믹 부품에 적합한 맞춤 포장 가능

견적 요청 시 필요한 정보

필요 정보	예시
도면 또는 샘플	2D 도면, 3D 파일 또는 기존 부품 샘플
재료 요구	CVD SiC, 실리콘, 석영 또는 기타 재료
외경 및 내경	장비 설계에 따른 치수
두께	공정 및 조립 조건에 따른 두께
저항률	저저항, 중저항 또는 고저항
홀 설계	가스 홀 직경, 수량 및 배열
표면 상태	연삭, 래핑 또는 폴리싱
적용 장비	건식 식각, 에피택시, 확산, 급속 열처리 장비
수량	샘플 수량 또는 양산 수량
검사 요구	치수 검사, 외관 검사, 세정 요구 등

자주 묻는 질문

1. CVD SiC 부품은 어디에 사용되나요?

CVD SiC 부품은 반도체 공정 장비, 특히 건식 식각, 에피택시, 확산 및 급속 열처리 장비에 사용됩니다. 주로 링, 전극, 엣지 보호 부품, 지지 구조물 및 챔버 보호 부품으로 적용됩니다.

2. CVD SiC가 건식 식각 장비에 적합한 이유는 무엇인가요?

CVD SiC는 높은 순도, 우수한 플라즈마 부식 저항성, 높은 열전도율, 높은 경도 및 낮은 파티클 발생 특성을 갖추고 있어 까다로운 건식 식각 챔버 환경에 적합합니다.

3. CVD SiC 부품과 실리콘 부품의 차이는 무엇인가요?

실리콘 부품은 성숙한 건식 식각 공정에서 널리 사용됩니다. CVD SiC 부품은 실리콘 부품보다 플라즈마 부식 저항성, 경도 및 사용 수명이 더 우수하여 더 까다로운 플라즈마 환경에 적합합니다.

4. CVD SiC 링과 전극은 맞춤 제작이 가능한가요?

가능합니다. 외경, 내경, 두께, 홀, 홈, 단차, 모따기, 표면 상태 및 저항률 요구 사항에 따라 고객 도면 기준으로 맞춤 제작할 수 있습니다.

5. 견적을 받기 위해 어떤 정보를 제공해야 하나요?

도면, 샘플, 재료 요구, 치수, 저항률, 홀 설계, 표면 상태, 적용 장비 및 수량을 제공해 주시면 제작 가능성, 가격 및 납기 확인이 가능합니다.

6. 품질 검사는 어떻게 진행되나요?

제품은 치수, 외관, 칩, 스크래치, 균열, 오염, 가공 정밀도 및 기타 결함 여부를 고객 요구 사항에 따라 검사할 수 있습니다.