8인치 사파이어 웨이퍼 200mm Al₂O₃ 단결정 기판 DSP SSP LED용 광학 서브스트레이트

8인치(200mm) 사파이어 웨이퍼는 고순도 단결정 산화알루미늄(Al₂O₃)으로 제작된 고성능 광전자 및 반도체용 기판입니다.

사파이어는 높은 경도, 우수한 광학 투과율, 뛰어난 화학적 안정성 및 고온 내성을 갖춘 소재로, LED, Micro LED, 레이저 다이오드, 광센서 및 반도체 연구개발 분야에서 널리 사용됩니다.

ZMSH의 8인치 사파이어 웨이퍼는 SSP(Single Side Polished) 및 DSP(Double Side Polished) 옵션을 제공하며, LED 에피택셜 성장 및 광전자 소자 제조 공정에 적합한 고품질 기판입니다.

제품 사양

항목	사양
재료	Single Crystal Al₂O₃ (Sapphire)
직경	200 ± 0.1 mm (8 Inch)
결정 방향	C-plane (0001)
두께	700 ± 25 μm
표면 처리	DSP / SSP
표면 조도	Ra ≤ 0.3 nm
TTV	≤ 10 μm
Warp	≤ 30 μm
Scratch/Dig	40/20
Edge	45° Chamfer
형태	Round / Notch / Flat
포장	Cleanroom Vacuum Packaging
MOQ	10 pieces

사파이어 물성 특성

특성	값
화학식	Al₂O₃
결정 구조	Hexagonal
밀도	3.98 g/cm³
모스 경도	9
굴절률	약 1.76 (589 nm)
융점	약 2045°C
열전도율	약 35 W/m·K
유전율	9.3 ~ 11.5
화학적 안정성	매우 우수
광 투과 범위	UV ~ IR (약 200–5500 nm)

주요 특징

고품질 광학 특성

자외선부터 근적외선 영역까지 높은 투과율을 제공하여 LED 및 광전자 응용에 적합합니다.

높은 기계적 강도

모스 경도 9의 매우 높은 경도로 스크래치 및 마모에 강합니다.

우수한 화학적 안정성

산 및 알칼리에 대한 내성이 뛰어나 다양한 반도체 공정 환경에서 안정적으로 사용됩니다.

고온 환경 안정성

고온에서도 물리적 변형이 적어 정밀 공정에 적합합니다.

고품질 표면 가공

CMP 수준의 연마 기술로 Epi-ready 품질의 표면을 제공합니다.

적용 분야

LED 및 Micro LED

• Blue LED
• White LED
• UV LED
• Micro LED Display

광전자 장치

• Laser Diode
• Optical Sensor
• Photodetector

반도체 공정용 기판

• GaN epitaxial growth substrate
• III-V compound semiconductor growth
• RF device substrate

특수 응용

• 고온 광학 윈도우
• 정밀 광학 부품
• 항공우주 및 국방 장비

맞춤 제작 서비스

고객 요구에 따라 다양한 사양을 제공합니다.

• C-plane / A-plane / M-plane / R-plane
• SSP / DSP 선택 가능
• 두께 맞춤 제작
• Off-angle 조정
• Epi-ready 표면 처리
• 레이저 마킹
• 특수 패키징

품질 관리

모든 웨이퍼는 출하 전 엄격한 검사 과정을 거칩니다.

검사 항목	내용
결정 품질	Crystal inspection
표면 결함	Defect inspection
두께	Thickness measurement
평탄도	Warp / Bow / TTV
표면 조도	AFM / optical measurement
청정도	Particle inspection

FAQ

8인치 사파이어 웨이퍼는 어디에 사용되나요?

LED, Micro LED, 레이저, 광센서 및 반도체 연구개발 분야에서 사용됩니다.

DSP와 SSP의 차이는 무엇인가요?

SSP는 단면 연마, DSP는 양면 연마로 공정 요구에 따라 선택됩니다.

GaN과 관련이 있나요?

사파이어 웨이퍼는 GaN epitaxial growth를 위한 대표적인 기판 소재입니다.

맞춤 제작이 가능한가요?

예, 방향성, 두께, 표면 처리 등 다양한 맞춤 제작이 가능합니다.