8인치(200mm) 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 웨이퍼는 차세대 전력반도체 및 고주파 전자소자 제조를 위한 핵심 기판 소재입니다. SiC는 넓은 밴드갭, 높은 절연 파괴 전계, 우수한 열전도율을 갖춘 대표적인 와이드 밴드갭 반도체로, 기존 실리콘 기반 소자 대비 더 높은 전력 효율과 신뢰성을 제공합니다.
ZMSH는 4H-N 타입 단결정 SiC 웨이퍼를 공급하며, Research Grade, Dummy Grade 및 Production Grade를 지원합니다. 200mm 대구경 기판은 차세대 전기자동차(EV), 신재생에너지, 산업용 전력전자 및 RF 통신 분야의 연구개발과 양산 공정에 적합합니다.
제품 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 제품명 | Silicon Carbide Wafer |
| 재료 | 4H-SiC Single Crystal |
| 직경 | 200 mm (8 Inch) |
| 두께 | 350 μm / 500 μm |
| 도전형 | N-Type |
| 결정 구조 | 4H-SiC |
| 등급 | Prime Grade / Production Grade / Research Grade / Dummy Grade |
| 표면 처리 | Double Side Polished |
| 밀도 | 3.21 g/cm³ |
| 유전율 | 9.66 |
| MOQ | 1 Piece |
| 원산지 | China |
| 포장 | Single Wafer Container |
| 배송 기간 | 약 2~4주 |
물성 특성
| 특성 | 4H-SiC |
| 격자 상수 | a=3.076 Å, c=10.053 Å |
| 모스 경도 | 약 9.2 |
| 밀도 | 3.21 g/cm³ |
| 열팽창 계수 | 4~5 × 10⁻⁶/K |
| 굴절률 (750nm) | no=2.61, ne=2.66 |
| 유전율 | 9.66 |
| 열전도율 | 3.7~4.2 W/cm·K |
| 밴드갭 | 3.23 eV |
| 절연 파괴 전계 | 3~5 × 10⁶ V/cm |
| 전자 포화 속도 | 2.0 × 10⁵ m/s |
주요 특징
우수한 전력반도체 성능
SiC는 기존 실리콘 대비 높은 전압 환경에서 안정적으로 동작하며 전력 손실을 효과적으로 감소시킬 수 있습니다.
뛰어난 열전도율
고출력 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하여 장치의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다.
넓은 밴드갭 구조
고온 환경에서도 안정적인 동작이 가능하며 전력 변환 효율을 향상시킵니다.
대구경 200mm 기판
8인치 웨이퍼는 더 많은 칩 생산이 가능하여 제조 효율과 생산성을 향상시킬 수 있습니다.
연구 및 양산 지원
연구개발용 샘플부터 파일럿 생산 및 양산 평가까지 다양한 요구사항을 지원합니다.
적용 분야
전기자동차(EV)
- 트랙션 인버터
- 온보드 충전기(OBC)
- DC-DC 컨버터
- 배터리 관리 시스템
신재생에너지
- 태양광 인버터
- 풍력 발전 시스템
- 에너지 저장 장치(ESS)
산업용 전력전자
- 산업용 모터 드라이브
- 고전압 전원 공급 장치
- 자동화 설비
RF 및 통신 장비
- RF 증폭기
- 마이크로파 통신
- 5G 및 차세대 통신 장비
연구개발 분야
- 반도체 연구소
- 대학 연구실
- 차세대 전력반도체 개발
- 소재 특성 평가
품질 관리
모든 SiC 웨이퍼는 출하 전 엄격한 품질 검사를 실시합니다.
| 검사 항목 | 검사 내용 |
| 결정 품질 검사 | Crystal Quality Inspection |
| 표면 결함 검사 | Surface Defect Inspection |
| 두께 측정 | Thickness Measurement |
| 평탄도 검사 | Flatness Inspection |
| 방향성 측정 | Orientation Verification |
| 표면 조도 검사 | Surface Roughness Analysis |
| 오염도 검사 | Surface Contamination Inspection |
맞춤 제작 서비스
고객 요구에 따라 다양한 사양을 지원합니다.
- 맞춤 두께
- Prime Grade 공급
- Research Grade 공급
- Dummy Wafer 공급
- Epi-Ready Surface
- 단면 및 양면 연마
- 특수 방향성 제작
- 소량 주문 지원
FAQ
8인치 SiC 웨이퍼는 어떤 산업에서 사용됩니까?
전기자동차, 전력반도체, 신재생에너지, RF 통신 및 연구개발 분야에서 널리 사용됩니다.
제공 가능한 두께는 무엇입니까?
표준 사양은 350μm 및 500μm이며 고객 요구에 따라 맞춤 제작이 가능합니다.
Research Grade 공급이 가능합니까?
예. 연구기관 및 대학을 위한 Research Grade 웨이퍼를 공급하고 있습니다.
Dummy Wafer 공급이 가능합니까?
예. 공정 테스트 및 장비 평가용 Dummy Wafer 공급이 가능합니다.
최소 주문 수량은 얼마입니까?
재고 제품의 경우 1장부터 주문 가능합니다.






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