8인치 SiC 웨이퍼 200mm 4H-N 실리콘 카바이드 기판

8인치(200mm) 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 웨이퍼는 차세대 전력반도체 및 고주파 전자소자 제조를 위한 핵심 기판 소재입니다. SiC는 넓은 밴드갭, 높은 절연 파괴 전계, 우수한 열전도율을 갖춘 대표적인 와이드 밴드갭 반도체로, 기존 실리콘 기반 소자 대비 더 높은 전력 효율과 신뢰성을 제공합니다.

8인치 SiC 웨이퍼 200mm 4H-N 실리콘 카바이드 기판8인치(200mm) 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 웨이퍼는 차세대 전력반도체 및 고주파 전자소자 제조를 위한 핵심 기판 소재입니다. SiC는 넓은 밴드갭, 높은 절연 파괴 전계, 우수한 열전도율을 갖춘 대표적인 와이드 밴드갭 반도체로, 기존 실리콘 기반 소자 대비 더 높은 전력 효율과 신뢰성을 제공합니다.

ZMSH는 4H-N 타입 단결정 SiC 웨이퍼를 공급하며, Research Grade, Dummy Grade 및 Production Grade를 지원합니다. 200mm 대구경 기판은 차세대 전기자동차(EV), 신재생에너지, 산업용 전력전자 및 RF 통신 분야의 연구개발과 양산 공정에 적합합니다.


제품 사양

항목 사양
제품명 Silicon Carbide Wafer
재료 4H-SiC Single Crystal
직경 200 mm (8 Inch)
두께 350 μm / 500 μm
도전형 N-Type
결정 구조 4H-SiC
등급 Prime Grade / Production Grade / Research Grade / Dummy Grade
표면 처리 Double Side Polished
밀도 3.21 g/cm³
유전율 9.66
MOQ 1 Piece
원산지 China
포장 Single Wafer Container
배송 기간 약 2~4주

물성 특성

특성 4H-SiC
격자 상수 a=3.076 Å, c=10.053 Å
모스 경도 약 9.2
밀도 3.21 g/cm³
열팽창 계수 4~5 × 10⁻⁶/K
굴절률 (750nm) no=2.61, ne=2.66
유전율 9.66
열전도율 3.7~4.2 W/cm·K
밴드갭 3.23 eV
절연 파괴 전계 3~5 × 10⁶ V/cm
전자 포화 속도 2.0 × 10⁵ m/s

주요 특징

우수한 전력반도체 성능

SiC는 기존 실리콘 대비 높은 전압 환경에서 안정적으로 동작하며 전력 손실을 효과적으로 감소시킬 수 있습니다.

뛰어난 열전도율

고출력 소자에서 발생하는 열을 효율적으로 방출하여 장치의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다.

넓은 밴드갭 구조

고온 환경에서도 안정적인 동작이 가능하며 전력 변환 효율을 향상시킵니다.

대구경 200mm 기판

8인치 웨이퍼는 더 많은 칩 생산이 가능하여 제조 효율과 생산성을 향상시킬 수 있습니다.

연구 및 양산 지원

연구개발용 샘플부터 파일럿 생산 및 양산 평가까지 다양한 요구사항을 지원합니다.


적용 분야

전기자동차(EV)

  • 트랙션 인버터
  • 온보드 충전기(OBC)
  • DC-DC 컨버터
  • 배터리 관리 시스템

신재생에너지

  • 태양광 인버터
  • 풍력 발전 시스템
  • 에너지 저장 장치(ESS)

산업용 전력전자

  • 산업용 모터 드라이브
  • 고전압 전원 공급 장치
  • 자동화 설비

RF 및 통신 장비

  • RF 증폭기
  • 마이크로파 통신
  • 5G 및 차세대 통신 장비

연구개발 분야

  • 반도체 연구소
  • 대학 연구실
  • 차세대 전력반도체 개발
  • 소재 특성 평가

품질 관리

모든 SiC 웨이퍼는 출하 전 엄격한 품질 검사를 실시합니다.

검사 항목 검사 내용
결정 품질 검사 Crystal Quality Inspection
표면 결함 검사 Surface Defect Inspection
두께 측정 Thickness Measurement
평탄도 검사 Flatness Inspection
방향성 측정 Orientation Verification
표면 조도 검사 Surface Roughness Analysis
오염도 검사 Surface Contamination Inspection

8인치 SiC 웨이퍼 200mm 4H-N 실리콘 카바이드 기판맞춤 제작 서비스

고객 요구에 따라 다양한 사양을 지원합니다.

  • 맞춤 두께
  • Prime Grade 공급
  • Research Grade 공급
  • Dummy Wafer 공급
  • Epi-Ready Surface
  • 단면 및 양면 연마
  • 특수 방향성 제작
  • 소량 주문 지원

FAQ

8인치 SiC 웨이퍼는 어떤 산업에서 사용됩니까?

전기자동차, 전력반도체, 신재생에너지, RF 통신 및 연구개발 분야에서 널리 사용됩니다.

제공 가능한 두께는 무엇입니까?

표준 사양은 350μm 및 500μm이며 고객 요구에 따라 맞춤 제작이 가능합니다.

Research Grade 공급이 가능합니까?

예. 연구기관 및 대학을 위한 Research Grade 웨이퍼를 공급하고 있습니다.

Dummy Wafer 공급이 가능합니까?

예. 공정 테스트 및 장비 평가용 Dummy Wafer 공급이 가능합니다.

최소 주문 수량은 얼마입니까?

재고 제품의 경우 1장부터 주문 가능합니다.

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