12인치(300mm) 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC) 웨이퍼는 차세대 전력 반도체 및 고주파 전자소자를 위한 핵심 기판 소재입니다. SiC는 넓은 밴드갭(Wide Bandgap), 높은 절연 파괴 전압, 우수한 열전도율을 갖추고 있어 기존 실리콘(Si) 기반 소자보다 더 높은 전력 밀도와 에너지 효율을 제공합니다.
ZMSH의 300mm SiC 웨이퍼는 연구개발, 파일럿 생산 및 차세대 전력반도체 공정 개발에 적합하며, 우수한 결정 품질과 낮은 결함 밀도를 통해 고성능 전력 소자 제조를 지원합니다.
제품 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 재료 | Silicon Carbide (SiC) |
| 폴리타입 | 4H-SiC / 6H-SiC |
| 직경 | 300 mm (12 Inch) |
| 두께 | 750 ± 25 μm |
| 도전형 | N-Type / Semi-Insulating |
| 도핑 | Nitrogen (N), Vanadium (V) |
| 결정 방향 | On-Axis <0001> |
| 오프각 | 4° Off-Axis Toward <11-20> |
| 비저항 | 0.015 ~ 0.028 Ω·cm (4H-N) |
| Micropipe Density | ≤0.4 cm⁻² ~ ≤4 cm⁻² |
| TTV | ≤15 μm |
| Bow | ≤35 μm |
| Warp | ≤55 μm |
| 표면 처리 | CMP Polished |
| 표면 거칠기 | Ra ≤0.2 nm |
| Edge Exclusion | 3 mm |
| 포장 방식 | Single Wafer Container / Cassette |
주요 특징
우수한 전력 반도체 성능
SiC는 기존 실리콘 대비 약 10배 높은 절연 파괴 전계를 가지며, 고전압 및 고전력 환경에서 안정적인 동작이 가능합니다.
높은 열전도율
실리콘보다 약 3배 높은 열전도율을 제공하여 발열을 효과적으로 제어할 수 있으며 전력 손실을 줄일 수 있습니다.
넓은 밴드갭 특성
약 3.26eV의 넓은 밴드갭을 통해 고온 환경에서도 우수한 전기적 특성을 유지합니다.
낮은 결함 밀도
엄격한 품질 관리를 통해 낮은 MPD(Micropipe Density)를 구현하여 소자 수율 향상에 기여합니다.
고품질 CMP 표면
CMP 연마 공정을 통해 에피택셜 성장(Epitaxial Growth)에 적합한 고품질 표면을 제공합니다.
SiC 물성 특성
| 특성 | SiC |
| 밴드갭 | 3.26 eV |
| 열전도율 | 약 3.7 W/cm·K |
| 절연 파괴 전계 | 약 3 MV/cm |
| 전자 포화 속도 | 2.0 × 10⁷ cm/s |
| 모스 경도 | 9.2 |
| 사용 온도 | 최대 600°C 이상 |
적용 분야
전기자동차(EV)
- 트랙션 인버터
- 온보드 충전기(OBC)
- DC-DC 컨버터
- 배터리 관리 시스템(BMS)
신재생에너지
- 태양광 인버터
- 풍력 발전 시스템
- 에너지 저장 시스템(ESS)
- 스마트 그리드
산업용 전력전자
- 산업용 모터 드라이브
- 고출력 전원장치
- 산업 자동화 설비
- 전력 변환 모듈
RF 및 통신 장비
- RF 증폭기
- 마이크로파 통신 장비
- 레이더 시스템
- 위성 통신 장비
연구개발
- 전력반도체 연구
- 대학 및 연구기관
- 차세대 반도체 공정 개발
- 신소재 평가 및 분석
품질 검사 항목
| 검사 항목 | 검사 내용 |
| 결정 품질 | Crystal Quality Inspection |
| 표면 결함 | Surface Defect Inspection |
| MPD 측정 | Micropipe Density Analysis |
| TTV 측정 | Total Thickness Variation |
| Bow / Warp | 평탄도 검사 |
| 방향성 검사 | Orientation Verification |
| 표면 조도 | Surface Roughness Measurement |
| 오염도 검사 | Surface Contamination Inspection |
맞춤 제작 서비스
고객 요구사항에 따라 다음과 같은 맞춤 제작이 가능합니다.
- 두께 변경
- 결정 방향 변경
- 비저항 조정
- 도핑 조건 변경
- 표면 처리 방식 선택
- Epi-Ready 사양 제공
- 연구용 샘플 제작
- 특수 포장 방식 지원
FAQ
12인치 SiC 웨이퍼는 어떤 용도로 사용됩니까?
전력 반도체, RF 소자, 전기자동차, 신재생에너지 시스템 및 고온 전자장치 제조에 사용됩니다.
4H-SiC와 6H-SiC의 차이점은 무엇입니까?
4H-SiC는 전력 반도체에 가장 널리 사용되는 결정 구조이며, 높은 전자 이동도와 우수한 전기적 특성을 제공합니다.
Epi-Ready 웨이퍼 공급이 가능합니까?
예. CMP 공정을 완료한 Epi-Ready SiC 웨이퍼 공급이 가능합니다.
최소 주문 수량은 얼마입니까?
연구개발용 샘플은 1장부터 공급 가능합니다.
맞춤형 사양 제작이 가능합니까?
예. 두께, 방향성, 비저항, 표면 품질 등 고객 요구에 따라 맞춤 제작이 가능합니다.
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