SiC 웨이퍼를 구매할 때 직경, 두께, 도핑 농도와 같은 사양에만 집중하는 경우가 많지만, 표면 연마 방식(Surface Finish) 역시 공정 성능과 최종 소자 품질을 결정하는 중요한 요소입니다. 가장 많이 사용되는 연마 방식은 SSP(Single Side Polished) 와 DSP(Double Side Polished) 입니다. 두 제품 모두 동일한 SiC 소재로 제작되지만, 연마되는 면의 수와 평탄도, 적용 공정, 가격 등이 서로 […]
SiC 웨이퍼 표면 연마(SSP/DSP) 선택 가이드: 어떤 사양이 내 공정에 적합할까? 더 읽기"
전력전자 기술이 빠르게 발전하면서 반도체 소자는 더 높은 전압, 더 큰 전류, 더 높은 동작 온도를 동시에 요구받고 있다. 특히 전기자동차(EV), 신재생에너지, 산업 자동화, 데이터센터 전원 시스템 및 항공우주 분야에서는 기존 실리콘(Si) 기반 전력반도체의 성능 한계를 극복할 수 있는 새로운 소재가 필요하다. 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)는 이러한 요구를 충족하는 대표적인 광대역갭(Wide Bandgap) 반도체 소재이다. SiC
고온·고전력 반도체에 SiC 기판이 적합한 이유 더 읽기"
실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)는 대표적인 광대역갭(Wide Bandgap) 반도체 소재로, 높은 절연 파괴 전계, 우수한 열전도도 및 뛰어난 고온 안정성을 갖추고 있다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 전력반도체, RF 소자, 고주파 통신, 항공우주 및 산업용 전자장비 등 다양한 분야에서 핵심 기판 소재로 사용되고 있다. SiC 웨이퍼는 전기적 특성에 따라 N형(N-Type), P형(P-Type) 및 **반절연형(Semi-Insulating, SI)**으로 구분된다. 이 가운데
N형 SiC 웨이퍼와 반절연 SiC 기판의 차이 더 읽기"
