대학 연구실, 기업 연구개발센터, 반도체 장비 개발팀에서는 공정 검증, 박막 증착, 식각 시험, 장비 조정 및 시제품 개발을 위해 소량의 웨이퍼를 주문하는 경우가 많습니다. 그러나 한 장부터 스물다섯 장 정도의 소량 주문은 웨이퍼 크기와 수량만 전달해서는 정확한 제품을 공급받기 어렵습니다. 같은 직경의 웨이퍼라도 재질, 결정 방향, 도핑 상태, 두께 공차, 표면 연마 상태 및 평탄도에 […]
소량 연구용 웨이퍼 주문 시 확인해야 할 사항 더 읽기"
반도체 소재를 구매할 때 제품 사양만큼 중요한 것이 포장, 검사 문서 및 추적성입니다. 웨이퍼, 사파이어 광학 부품, 쿼츠 부품 및 정밀 세라믹 부품은 출하 당시 사양을 만족하더라도 포장이나 운송이 적절하지 않으면 스크래치, 칩, 균열, 입자 오염 또는 치수 변화가 발생할 수 있습니다. 또한 문제가 발생했을 때 제품의 원재료, 생산 로트, 검사 기록 및 출하 정보를
반도체 소재 포장, 검사 성적서 및 추적성 관리 더 읽기"
SiC 웨이퍼를 구매할 때 직경, 두께, 도핑 농도와 같은 사양에만 집중하는 경우가 많지만, 표면 연마 방식(Surface Finish) 역시 공정 성능과 최종 소자 품질을 결정하는 중요한 요소입니다. 가장 많이 사용되는 연마 방식은 SSP(Single Side Polished) 와 DSP(Double Side Polished) 입니다. 두 제품 모두 동일한 SiC 소재로 제작되지만, 연마되는 면의 수와 평탄도, 적용 공정, 가격 등이 서로
SiC 웨이퍼 표면 연마(SSP/DSP) 선택 가이드: 어떤 사양이 내 공정에 적합할까? 더 읽기"
전력전자 기술이 빠르게 발전하면서 반도체 소자는 더 높은 전압, 더 큰 전류, 더 높은 동작 온도를 동시에 요구받고 있다. 특히 전기자동차(EV), 신재생에너지, 산업 자동화, 데이터센터 전원 시스템 및 항공우주 분야에서는 기존 실리콘(Si) 기반 전력반도체의 성능 한계를 극복할 수 있는 새로운 소재가 필요하다. 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)는 이러한 요구를 충족하는 대표적인 광대역갭(Wide Bandgap) 반도체 소재이다. SiC
고온·고전력 반도체에 SiC 기판이 적합한 이유 더 읽기"
실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)는 대표적인 광대역갭(Wide Bandgap) 반도체 소재로, 높은 절연 파괴 전계, 우수한 열전도도 및 뛰어난 고온 안정성을 갖추고 있다. 이러한 특성으로 인해 SiC는 전력반도체, RF 소자, 고주파 통신, 항공우주 및 산업용 전자장비 등 다양한 분야에서 핵심 기판 소재로 사용되고 있다. SiC 웨이퍼는 전기적 특성에 따라 N형(N-Type), P형(P-Type) 및 **반절연형(Semi-Insulating, SI)**으로 구분된다. 이 가운데
N형 SiC 웨이퍼와 반절연 SiC 기판의 차이 더 읽기"
