반절연 SiC, HPSI SiC, GaN on SiC, RF SiC substrate, 4H-SiC, SiC wafer, GaN RF, 고주파 반도체 탄화규소를 이야기할 때 대부분의 관심은 전기자동차와 전력반도체용 n형 4H-SiC 웨이퍼에 집중된다. 하지만 SiC에는 또 하나의 매우 중요한 시장이 있다. 바로 고주파 통신과 RF 소자용 반절연 SiC 기판이다. 5G 및 차세대 통신 시스템, 위성 통신, 레이더, 항공우주 및 방위용 […]
반절연 SiC 기판이 다시 주목받는 이유: GaN RF 소자의 핵심 기반 소재 더 읽기"
전기자동차 시장의 성장과 함께 탄화규소(SiC)는 지난 몇 년 동안 650 V, 1200 V, 1700 V급 전력반도체 시장에서 빠르게 성장했다. 특히 전기자동차의 주 구동 인버터와 급속 충전기, 태양광 인버터, 에너지저장장치가 대표적인 응용 분야였다. 그러나 2026년 SiC 기술의 중요한 변화 중 하나는 적용 전압 범위가 훨씬 높은 영역으로 확대되고 있다는 점이다. 2026년 3월 Wolfspeed는 업계 최초로 상용
10 kV SiC MOSFET 상용화가 시작됐다: 초고전압 전력반도체 시장이 SiC에 주목하는 이유 더 읽기"
AI 가속기와 고성능 컴퓨팅 시스템의 성능 경쟁이 계속되면서 반도체 산업에서는 새로운 문제가 더욱 중요해지고 있다. 바로 열이다. GPU, AI 가속기, HBM과 칩렛을 하나의 첨단 패키지 안에 집적할수록 단위 면적당 소비전력과 열유속은 증가한다. 패키지 내부에서 발생한 열을 충분히 빠르게 제거하지 못하면 칩의 접합 온도가 상승하고, 클록 성능 제한, 신뢰성 저하, 수명 감소 및 냉각 시스템 비용
300mm 다이아몬드 웨이퍼가 AI 칩 열관리의 차세대 소재가 될 수 있을까? 열전도율·두께 균일도·평탄도·본딩과 양산 과제 더 읽기"
AI 가속기, 고성능 서버 프로세서와 HBM의 집적도가 높아지면서 반도체 패키징 기술도 빠르게 변화하고 있다. 과거에는 패키지기판이 주로 칩과 메인보드를 전기적으로 연결하는 역할에 집중했다면, AI 반도체에서는 대면적화, 고밀도 배선, 높은 입출력 수, 저손실 신호 전송, 전력 공급 안정성, 휨 제어까지 동시에 만족해야 한다. 이러한 요구에 대응하기 위한 차세대 소재 가운데 하나가 유리기판이다. 특히 유리 내부에 수직
HBM·AI 반도체용 TGV 유리기판 선택 가이드: 유리 조성·CTE·평탄도·TGV 직경·금속화와 검사 기준 더 읽기"
인공지능(AI) 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC) 프로세서의 연산 성능이 빠르게 높아지면서 반도체 패키징에서 가장 중요한 문제 중 하나는 더 이상 단순한 배선 밀도가 아니라 열을 얼마나 빠르고 안정적으로 제거할 수 있는가이다. 대형 GPU, AI 가속기, HBM, 칩렛을 하나의 패키지에 집적하는 구조에서는 단위 면적당 발열량이 계속 증가하고 있다. 이 때문에 실리콘 인터포저, 유기 기판, 구리 방열 구조만으로는 국부적인
AI·HPC 첨단 패키징용 300mm 고열전도 SiC 기판: 열전도율·TTV·Bow·Warp·표면 거칠기와 본딩 요구사항 더 읽기"
반도체 미세화 경쟁이 3나노를 넘어 2나노 이하로 향하면서 트랜지스터 구조뿐 아니라 칩 내부의 금속 배선 소재도 중요한 기술 과제로 떠오르고 있다. 지난 수십 년 동안 반도체 배선의 대표 소재는 구리(Cu)였다. 구리는 낮은 전기저항과 우수한 전도성을 바탕으로 알루미늄을 대체하며 첨단 반도체의 핵심 배선 소재로 자리 잡았다. 그러나 배선 폭이 수십 나노미터에서 10나노미터 이하 영역으로 줄어들면서 상황이
2나노 반도체 배선 소재가 바뀐다: 구리 다음 후보 ‘루테늄’이 주목받는 이유 더 읽기"
반도체 제조 장비에서 탄화규소(SiC) 부품은 고온 안정성, 높은 경도, 우수한 내식성, 낮은 열팽창 특성 때문에 다양한 공정에 사용된다. 특히 식각, 증착, 열처리 및 플라즈마 환경에서는 일반 금속이나 일부 세라믹 소재보다 긴 사용 수명을 기대할 수 있다. 하지만 SiC가 내구성이 높은 소재라고 해서 영구적으로 사용할 수 있는 것은 아니다. 반복적인 플라즈마 노출, 고온·저온 사이클, 반응성 가스,
반도체 공정용 SiC 부품은 언제 교체해야 할까? 침식·산화·파티클과 수명 평가 가이드 더 읽기"
반도체 식각, 증착, 플라즈마 세정 장비 내부에서는 부품이 반복적으로 고에너지 플라즈마와 반응성 가스에 노출된다. 이러한 환경에서는 일반 금속이나 유리 소재가 빠르게 부식되거나 표면에서 파티클이 발생할 수 있기 때문에 높은 화학적 안정성과 기계적 강도를 가진 소재가 요구된다. 사파이어는 고순도 산화알루미늄 단결정 소재로, 높은 경도와 우수한 내열성, 전기 절연성, 화학적 안정성 및 광학적 투과 특성을 가지고 있어
플라즈마 공정용 사파이어 부품 선택 가이드: 순도·표면조도·치수 공차와 내플라즈마성 더 읽기"
반도체 제조 장비 내부에는 우리가 일상에서 쉽게 접하는 스테인리스강이나 일반 유리만으로 만들기 어려운 부품이 많습니다. 웨이퍼가 처리되는 장비 내부는 수백 도 이상의 고온, 플라즈마, 진공, 부식성 공정가스, 반복적인 가열과 냉각 등 매우 가혹한 환경에 노출되기 때문입니다. 또한 반도체 공정에서는 아주 작은 금속 불순자나 파티클도 수율에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 반도체 장비용 소재를 선택할 때는
반도체 장비에는 왜 석영·SiC·사파이어·세라믹 소재를 사용할까? 더 읽기"
반도체 제조 장비에 사용되는 석영관은 단순한 투명 유리관이 아니다. 공정 온도, 가스 분위기, 장비 구조 및 청정도 요구사항에 따라 석영관의 순도와 치수 정밀도, 표면 상태, 내열성 및 검사 기준이 달라진다. 석영관의 사양이 적절하지 않으면 장비 조립 불량, 가스 누설, 열변형, 균열, 파티클 발생 또는 금속 오염과 같은 문제가 발생할 수 있다. 따라서 구매 단계에서는 가격과
반도체 장비용 고순도 석영관 구매 가이드: 외경, 벽 두께, 직진도 및 내열성 더 읽기"
