6인치 SiC As-Cut Wafer는 실리콘카바이드(SiC) 결정 잉곳을 정밀 절단한 직후의 상태로 공급되는 웨이퍼입니다.
일반적인 연마 웨이퍼와 달리, 본 제품은 절단 후 추가적인 Grinding, Lapping, Polishing 또는 CMP 공정을 거치지 않은 미가공 상태의 SiC 웨이퍼입니다.
따라서 완성된 반도체용 표면 품질이 필요하지 않고, 후속 가공, 장비 테스트, 공정 개발, 연마 조건 평가 또는 R&D 용도로 실제 SiC 소재가 필요한 고객에게 적합합니다.
6인치 / 150 mm 규격을 기본으로 하며, 두께, 결정형, 전도 타입, 결정 방향 및 기타 사양은 고객 요구에 따라 협의할 수 있습니다.
주요 특징
- 6인치 / 150 mm SiC 웨이퍼
- 절단 직후 As-Cut 상태
- 미연마 / 미폴리싱 표면
- Grinding 및 Lapping 공정용
- Polishing 및 CMP 개발용
- 반도체 장비 테스트용
- 연구개발 및 공정 평가용
- 두께 및 사양 커스터마이징 가능
- 소량 샘플 및 Batch 공급 가능
- 완성 연마 웨이퍼 대비 비용 효율적
일반 사양
| 항목 | 사양 |
|---|---|
| 소재 | Silicon Carbide (SiC) |
| 직경 | 6인치 / 150 mm |
| 제품 상태 | As-Cut / Raw-Cut |
| 표면 상태 | Unpolished |
| 결정형 | 4H-SiC / 6H-SiC / 협의 가능 |
| 전도 타입 | N-Type / Semi-Insulating / 협의 가능 |
| 결정 방향 | (0001) 또는 고객 요구 사양 |
| 두께 | 고객 요구에 따라 제작 가능 |
| Edge 형상 | Flat / Notch / Custom |
| 가공 단계 | 절단 후 미연마 상태 |
| 공급 형태 | 샘플 / 소량 / 대량 주문 가능 |
※ 최종 사양은 고객의 실제 사용 목적과 가공 조건에 따라 협의 후 확정됩니다.
As-Cut 표면이란?
As-Cut Wafer는 SiC 결정 잉곳을 와이어 절단 등의 방식으로 슬라이싱한 후, 별도의 정밀 연마 공정을 진행하지 않은 웨이퍼를 의미합니다.
일반적인 SiC 웨이퍼 제조 공정은 다음과 같습니다.
SiC Crystal Growth → Slicing → Grinding → Lapping → Polishing → CMP → Cleaning
본 제품은 위 공정 중 Slicing 단계 직후의 상태로 공급됩니다.
따라서 표면에는 절단 흔적이나 일정한 방향의 가공 자국이 나타날 수 있으며, 이는 As-Cut 제품에서 정상적인 특징입니다.
표면 특징
As-Cut SiC Wafer의 표면은 다음과 같은 특징을 가질 수 있습니다.
- 와이어 절단 흔적
- 방향성 있는 표면 패턴
- 무광 또는 반무광 외관
- 연마 웨이퍼보다 높은 표면 거칠기
- CMP 미진행
- 최종 폴리싱 미진행
이러한 표면 상태는 결함이 아니라 후속 가공 전의 정상적인 상태입니다.
고객이 더 높은 표면 품질을 요구하는 경우 Grinding, Lapping, SSP, DSP 또는 CMP 가공도 별도 협의 가능합니다.
주요 적용 분야
1. SiC Grinding 공정 테스트
SiC 웨이퍼 연삭 장비, Grinding Wheel, Spindle 조건, 제거율 및 두께 제어 조건을 평가하는 데 사용할 수 있습니다.
2. Lapping 공정 개발
랩핑 압력, 연마재, Slurry, 제거율, 평탄도 및 표면 손상 조건 평가에 적합합니다.
3. Polishing 및 CMP 개발
기계 연마, Pre-Polishing, CMP 공정 조건 개발 및 성능 평가용 소재로 사용할 수 있습니다.
4. 반도체 장비 검증
다음과 같은 장비 테스트에 적합합니다.
- Wafer Grinder
- Lapping Machine
- Polishing Machine
- Wafer Thinning Equipment
- Wafer Handling System
- Robot Transfer System
- Inspection Equipment
5. 연구개발
대학, 연구소 및 기업 연구개발 부서에서 SiC 가공성, 표면 처리, 절삭 및 연마 공정 연구용으로 사용할 수 있습니다.
6. Dummy / Test Wafer
고가의 Epi-Ready 또는 CMP 완료 웨이퍼가 필요하지 않은 장비 테스트 및 공정 검증 환경에서 Test Wafer로 활용할 수 있습니다.
As-Cut SiC Wafer의 장점
비용 절감
장비 테스트나 Grinding / Polishing 공정 개발 단계에서 고가의 완성 연마 웨이퍼를 사용할 필요가 없는 경우, As-Cut 웨이퍼를 통해 테스트 비용을 줄일 수 있습니다.
실제 SiC 소재 테스트
대체 소재가 아닌 실제 SiC를 사용하므로 다음과 같은 실제 공정 특성을 평가할 수 있습니다.
- Material Removal Rate
- Tool Wear
- Grinding Force
- Surface Damage
- Polishing Efficiency
- Wafer Handling Performance
높은 사양 유연성
프로젝트에 따라 두께, 결정형, 전도 타입, 방향 및 Edge 조건을 협의할 수 있습니다.
커스터마이징 가능 항목
고객 요구에 따라 아래 항목을 협의할 수 있습니다.
- Wafer Diameter
- Wafer Thickness
- Thickness Tolerance
- 4H-SiC / 6H-SiC
- N-Type / Semi-Insulating
- Crystal Orientation
- Off-Axis Angle
- Flat / Notch
- Edge Processing
- Grinding
- Lapping
- SSP
- DSP
- CMP
- 기타 연구 및 장비 테스트용 특수 사양
도면이나 기술 사양서가 있는 경우 함께 보내주시면 보다 정확한 검토가 가능합니다.
공급 가능한 가공 단계
고객의 용도에 따라 SiC Wafer를 다양한 가공 단계로 공급할 수 있습니다.
As-Cut SiC Wafer
절단 직후 상태로, 장비 및 후속 가공 테스트에 적합합니다.
Ground SiC Wafer
Grinding 공정을 통해 두께와 평탄도를 개선한 상태입니다.
Lapped SiC Wafer
중간 연마 단계의 SiC Wafer입니다.
SSP SiC Wafer
한쪽 면이 연마된 Single Side Polished Wafer입니다.
DSP SiC Wafer
양면 연마된 Double Side Polished Wafer입니다.
CMP SiC Wafer
높은 표면 품질이 요구되는 반도체 및 연구용 기판에 적합합니다.
추천 고객군
본 제품은 다음 고객에게 적합합니다.
- SiC Wafer 제조업체
- 반도체 장비 제조업체
- Grinding 장비 업체
- Polishing 장비 업체
- CMP 공정 개발 업체
- 대학 및 연구기관
- 소재 가공 업체
- Wafer Thinning 공정 업체
- 연마재 및 Abrasive 개발 업체
- 반도체 공정 연구팀
견적 요청 시 필요한 정보
빠르고 정확한 견적을 위해 아래 정보를 알려주시기 바랍니다.
- Wafer Diameter
- Thickness
- Quantity
- SiC Polytype
- Conductivity Type
- Crystal Orientation
- Surface Condition
- Flat 또는 Notch 요구사항
- 사용 목적
- 기타 공차 및 특수 요구사항
일부 사양이 확정되지 않은 경우에는 사용 목적을 알려주시면 적합한 조건을 제안해 드릴 수 있습니다.
상품평
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