성형 AI와 대규모 언어모델의 발전은 반도체 산업에서 GPU와 HBM 수요만 증가시키고 있는 것이 아니다. 수만 개, 많게는 수십만 개의 가속기를 하나의 거대한 컴퓨팅 시스템처럼 연결하려면 서버와 스위치 사이에서 막대한 데이터를 빠르게 이동시켜야 한다. 이에 따라 AI 데이터센터의 병목이 연산 성능에서 점차 데이터 전송 성능으로 확대되고 있다. 이 변화 속에서 400G에서 800G, 그리고 1.6T 광트랜시버로의 전환이 […]
AI 데이터센터가 InP 웨이퍼 수요를 끌어올린다: 1.6T 광인터커넥트 시대의 핵심 반도체 소재 더 읽기"
반도체 미세화 경쟁이 3나노를 넘어 2나노 이하로 향하면서 트랜지스터 구조뿐 아니라 칩 내부의 금속 배선 소재도 중요한 기술 과제로 떠오르고 있다. 지난 수십 년 동안 반도체 배선의 대표 소재는 구리(Cu)였다. 구리는 낮은 전기저항과 우수한 전도성을 바탕으로 알루미늄을 대체하며 첨단 반도체의 핵심 배선 소재로 자리 잡았다. 그러나 배선 폭이 수십 나노미터에서 10나노미터 이하 영역으로 줄어들면서 상황이
2나노 반도체 배선 소재가 바뀐다: 구리 다음 후보 ‘루테늄’이 주목받는 이유 더 읽기"
반도체 제조 장비에서 탄화규소(SiC) 부품은 고온 안정성, 높은 경도, 우수한 내식성, 낮은 열팽창 특성 때문에 다양한 공정에 사용된다. 특히 식각, 증착, 열처리 및 플라즈마 환경에서는 일반 금속이나 일부 세라믹 소재보다 긴 사용 수명을 기대할 수 있다. 하지만 SiC가 내구성이 높은 소재라고 해서 영구적으로 사용할 수 있는 것은 아니다. 반복적인 플라즈마 노출, 고온·저온 사이클, 반응성 가스,
반도체 공정용 SiC 부품은 언제 교체해야 할까? 침식·산화·파티클과 수명 평가 가이드 더 읽기"
반도체 식각, 증착, 플라즈마 세정 장비 내부에서는 부품이 반복적으로 고에너지 플라즈마와 반응성 가스에 노출된다. 이러한 환경에서는 일반 금속이나 유리 소재가 빠르게 부식되거나 표면에서 파티클이 발생할 수 있기 때문에 높은 화학적 안정성과 기계적 강도를 가진 소재가 요구된다. 사파이어는 고순도 산화알루미늄 단결정 소재로, 높은 경도와 우수한 내열성, 전기 절연성, 화학적 안정성 및 광학적 투과 특성을 가지고 있어
플라즈마 공정용 사파이어 부품 선택 가이드: 순도·표면조도·치수 공차와 내플라즈마성 더 읽기"
반도체 제조 장비에는 금속만으로 해결하기 어려운 환경이 많다. 고온, 플라즈마, 부식성 가스, 고전압, 진공, 반복적인 열 사이클 등 여러 조건이 동시에 존재하기 때문이다. 이러한 환경에서 세라믹 소재는 높은 내열성, 전기 절연성, 내마모성, 화학적 안정성 때문에 다양한 장비 부품에 사용된다. 대표적인 소재가 **알루미나, 질화알루미늄(AlN), 탄화규소(SiC)**다. 세 소재 모두 반도체 장비에 널리 사용되지만 특성은 상당히 다르다. 따라서
반도체용 세라믹 부품은 어떻게 선택할까? 알루미나·AlN·SiC 소재별 특성과 적용 분야 더 읽기"
반도체 제조 장비 내부에는 우리가 일상에서 쉽게 접하는 스테인리스강이나 일반 유리만으로 만들기 어려운 부품이 많습니다. 웨이퍼가 처리되는 장비 내부는 수백 도 이상의 고온, 플라즈마, 진공, 부식성 공정가스, 반복적인 가열과 냉각 등 매우 가혹한 환경에 노출되기 때문입니다. 또한 반도체 공정에서는 아주 작은 금속 불순자나 파티클도 수율에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 반도체 장비용 소재를 선택할 때는
반도체 장비에는 왜 석영·SiC·사파이어·세라믹 소재를 사용할까? 더 읽기"
AI 반도체의 성능 경쟁이 치열해지면서 반도체 산업의 관심은 더 이상 미세공정만을 향하고 있지 않습니다. GPU, AI 가속기, HBM, CPU, 입출력 칩렛 등 서로 다른 기능을 가진 여러 반도체를 하나의 패키지 안에서 얼마나 빠르고 효율적으로 연결할 수 있는지가 전체 시스템 성능을 결정하는 중요한 요소가 되고 있습니다. 이에 따라 첨단 패키징 기술의 중요성이 빠르게 높아지고 있습니다. 특히
AI 반도체 패키징에는 왜 유리 기판이 필요할까? 유리·실리콘·세라믹 기판 비교 더 읽기"
전력반도체 시장에서 실리콘 카바이드(SiC)는 더 이상 새로운 소재가 아닙니다. 전기차 인버터, 급속 충전기, 태양광 인버터, 산업용 전원장치, 데이터센터 전력 시스템 등에서 SiC 전력반도체의 적용이 빠르게 확대되고 있습니다. 최근 업계에서 새롭게 주목받는 질문은 **“SiC 웨이퍼가 어디까지 커질 수 있는가?”**입니다. 현재 SiC 산업은 150mm(6인치)에서 200mm(8인치)로 전환하는 과정에 있지만, 2026년에는 이미 300mm(12인치) 단결정 SiC 웨이퍼까지 등장했습니다. 그렇다면 300mm
300mm SiC 웨이퍼 시대가 올까? 6인치·8인치·12인치 SiC 웨이퍼의 차이 더 읽기"
정밀 세라믹 부품은 반도체 장비, 전자 장비, 자동화 시스템, 의료기기 및 고온·진공 환경에서 널리 사용됩니다. 그러나 외관상 문제가 없어 보여도 치수 편차, 미세 균열, 모서리 깨짐, 홀 위치 오차, 휨 또는 표면 결함이 존재할 수 있습니다. 세라믹은 금속보다 충격과 국부 응력에 민감하기 때문에 작은 결함도 조립, 열사이클 또는 장비 운전 중 파손으로 이어질 수 있습니다.
세라믹 부품 입고 검사 가이드: 샘플링 계획, 치수 성적서 및 표면 결함 기준 더 읽기"
AI 연산 클러스터와 데이터센터의 고속 상호연결 수요가 빠르게 증가하면서 광모듈 전송 속도는 400G와 800G를 넘어 1.6T, 3.2T 단계로 진입하고 있다. 전송 속도가 높아질수록 광변조기에는 더 넓은 대역폭뿐만 아니라 낮은 전력 소비, 작은 크기, 우수한 온도 안정성 및 높은 집적성이 요구된다. 이러한 배경에서 박막 리튬 나이오베이트(TFLN, Thin-Film Lithium Niobate), 또는 절연체 위 리튬 나이오베이트(LNOI)는 실험실 수준의
박막 리튬 나이오베이트(TFLN): 소재 혁신에서 대규모 상용화로 더 읽기"
