전력반도체 시장에서 실리콘 카바이드(SiC)는 더 이상 새로운 소재가 아닙니다. 전기차 인버터, 급속 충전기, 태양광 인버터, 산업용 전원장치, 데이터센터 전력 시스템 등에서 SiC 전력반도체의 적용이 빠르게 확대되고 있습니다. 최근 업계에서 새롭게 주목받는 질문은 **“SiC 웨이퍼가 어디까지 커질 수 있는가?”**입니다. 현재 SiC 산업은 150mm(6인치)에서 200mm(8인치)로 전환하는 과정에 있지만, 2026년에는 이미 300mm(12인치) 단결정 SiC 웨이퍼까지 등장했습니다. 그렇다면 300mm […]
300mm SiC 웨이퍼 시대가 올까? 6인치·8인치·12인치 SiC 웨이퍼의 차이 더 읽기"
정밀 세라믹 부품은 반도체 장비, 전자 장비, 자동화 시스템, 의료기기 및 고온·진공 환경에서 널리 사용됩니다. 그러나 외관상 문제가 없어 보여도 치수 편차, 미세 균열, 모서리 깨짐, 홀 위치 오차, 휨 또는 표면 결함이 존재할 수 있습니다. 세라믹은 금속보다 충격과 국부 응력에 민감하기 때문에 작은 결함도 조립, 열사이클 또는 장비 운전 중 파손으로 이어질 수 있습니다.
세라믹 부품 입고 검사 가이드: 샘플링 계획, 치수 성적서 및 표면 결함 기준 더 읽기"
AI 연산 클러스터와 데이터센터의 고속 상호연결 수요가 빠르게 증가하면서 광모듈 전송 속도는 400G와 800G를 넘어 1.6T, 3.2T 단계로 진입하고 있다. 전송 속도가 높아질수록 광변조기에는 더 넓은 대역폭뿐만 아니라 낮은 전력 소비, 작은 크기, 우수한 온도 안정성 및 높은 집적성이 요구된다. 이러한 배경에서 박막 리튬 나이오베이트(TFLN, Thin-Film Lithium Niobate), 또는 절연체 위 리튬 나이오베이트(LNOI)는 실험실 수준의
박막 리튬 나이오베이트(TFLN): 소재 혁신에서 대규모 상용화로 더 읽기"
반도체 제조 장비에 사용되는 석영 플랜지는 석영관, 공정 챔버, 가스 공급관 또는 진공 시스템을 다른 부품과 연결하는 중요한 인터페이스다. 외형이 단순한 원형 플랜지처럼 보여도 씰링면의 평탄도, 볼트 홀 위치, 두께, 용접부 구조 및 표면 상태에 따라 장비의 진공 성능과 조립 안정성이 달라질 수 있다. 석영은 열팽창계수가 낮고 고온 및 화학 환경에서 안정적이지만 금속처럼 연성이 있는
반도체 장비용 맞춤형 석영 플랜지 설계 가이드: 씰링면, 볼트 홀, 평탄도 및 누설 검사 더 읽기"
SiC 웨이퍼를 구매하거나 연구를 진행하다 보면 Prime Grade, Test Grade, Dummy Grade라는 용어를 자주 접하게 됩니다. 많은 사용자가 이들을 단순히 “품질 등급”으로 이해하지만, 실제로는 결함 허용 기준, 검사 수준, 적용 목적이 서로 다른 제품을 의미합니다. 예를 들어 전력 반도체 양산용 MOSFET에는 Prime Grade가 사용되지만, 공정 개발이나 장비 테스트에는 Test Grade 또는 Dummy Grade가 더 경제적인
Prime, Test, Dummy SiC 웨이퍼란 무엇인가? 용도별 선택 가이드 더 읽기"
SiC 웨이퍼의 품질은 결정 결함, 두께 균일도, 평탄도와 표면 거칠기만으로 결정되지 않습니다. 웨이퍼 표면에 남아 있는 미세 파티클, 금속 이온, 유기물, 연마 슬러리 및 세정액 잔류물 역시 에피택시 성장과 소자 제조 수율에 직접적인 영향을 줄 수 있습니다. 특히 SiC 전력 반도체는 고전압과 고온 환경에서 작동하기 때문에 미세한 표면 오염도 누설 전류, 산화막 신뢰성 저하, 접촉
SiC 웨이퍼 세정 공정이 소자 수율에 미치는 영향 더 읽기"
반도체 웨이퍼를 선택할 때 단순히 직경과 두께만 확인해서는 충분하지 않다. 같은 4인치, 6인치, 8인치 웨이퍼라도 표면 상태, 두께 균일도, 휨, 결정 방향, 저항률, 도핑 타입, 연마 방식에 따라 실제 적용 가능한 공정과 소자 성능이 크게 달라질 수 있다. 웨이퍼 사양서는 반도체 소재의 품질을 수치로 표현한 기술 문서이다. 이 문서에 포함된 TTV, Bow, Warp, Ra, SSP,
웨이퍼 사양 보는 법: TTV, Bow, Warp, Ra, 결정 방향의 의미 더 읽기"
반도체 소자의 성능은 회로 설계나 제조 공정만으로 결정되지 않는다. 그보다 더 앞단에 있는 기판 소재의 선택도 매우 중요한 역할을 한다. 기판은 반도체 박막이나 소자 구조를 형성하는 기본 바탕이며, 열적 안정성, 전기적 특성, 결정 품질, 공정 호환성에 직접적인 영향을 준다. 현재 반도체 산업에서 널리 사용되는 대표적인 기판 소재로는 실리콘, 탄화규소, 사파이어, 갈륨비소, 인화인듐이 있다. 이들은 모두
반도체 기판 소재 비교: 실리콘, SiC, 사파이어, GaAs, InP의 차이 더 읽기"
반도체 산업에서 기판, 웨이퍼, 에피택셜 웨이퍼, 칩이라는 용어는 매우 자주 사용된다. 이들은 서로 밀접하게 연결되어 있지만 같은 개념은 아니다. 특히 일반적인 설명에서는 웨이퍼를 칩이라고 부르거나, 기판을 단순히 실리콘 웨이퍼로만 이해하는 경우가 많다. 그러나 실제 반도체 제조 공정에서는 각각의 용어가 가리키는 공정 단계와 기능이 분명히 다르다. 이 글에서는 반도체 소재가 최종 칩으로 만들어지기까지의 흐름을 기준으로, 기판,
기판, 에피택셜 웨이퍼, 웨이퍼, 칩의 차이 한 번에 이해하기 더 읽기"
반도체 제조 공정에서는 고온, 진공, 플라즈마, 부식성 가스, 정밀 위치 제어, 오염 관리 등 매우 까다로운 조건이 동시에 요구됩니다. 이러한 환경에서는 일반 금속이나 플라스틱 소재만으로는 충분한 성능을 확보하기 어렵습니다. 이 때문에 반도체 장비에는 다양한 세라믹 부품이 사용됩니다. 세라믹은 높은 내열성, 우수한 절연성, 낮은 오염 가능성, 안정적인 기계적 강도, 뛰어난 화학적 안정성을 갖추고 있어 반도체 제조
반도체 세라믹 부품의 주요 재료와 적용 분야 더 읽기"
