탄화규소(SiC)는 오랫동안 전기자동차, 충전기, 태양광 인버터와 산업용 전력반도체를 위한 핵심 소재로 알려져 왔다. 넓은 밴드갭, 높은 절연파괴 전계와 우수한 고온 특성 때문에 SiC는 고전압·고효율 전력소자에 특히 적합하다. 하지만 2026년 들어 SiC의 또 다른 가능성이 본격적으로 논의되기 시작했다. 바로 인공지능 반도체의 열 관리와 첨단 패키징이다. AI 프로세서의 전력밀도가 계속 증가하면서 칩에서 발생한 열을 얼마나 빠르게 제거할 […]
전력반도체를 넘어 AI 패키징으로: 고열전도 SiC가 히트스프레더와 인터포저 소재로 주목받는 이유 더 읽기"
인공지능 반도체와 고성능 메모리의 집적도가 높아지면서 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)이 차세대 3차원 반도체 연결 기술로 빠르게 부상하고 있다. 기존 마이크로범프 방식은 솔더 범프를 사용하여 칩과 칩을 연결한다. 하지만 연결 피치가 계속 줄어들면 범프 크기와 간격, 솔더 부피가 한계에 도달하게 된다. 하이브리드 본딩은 이러한 범프를 크게 줄이거나 제거하고 절연막과 구리 패드를 직접 접합한다. 이를 통해 연결 거리를
1.4µm 초미세 하이브리드 본딩: 웨이퍼 평탄도·구리 리세스·정렬 오차가 수율을 결정하는 이유 더 읽기"
인공지능(AI) 반도체 패키지가 대형화되면서 차세대 패키징용 유리기판에 대한 관심이 빠르게 높아지고 있다. 기존 유기기판은 오랫동안 반도체 패키징의 핵심 소재로 사용되어 왔지만, AI 가속기와 고대역폭메모리(HBM)를 하나의 대형 패키지 안에 더 많이 집적하면서 새로운 문제가 나타나고 있다. 패키지 면적이 커질수록 열에 의한 휨이 증가하고, 더 미세한 배선과 높은 입출력 밀도를 구현하기 어려워진다. 이러한 배경에서 유리기판은 낮은 열팽창,
AI 반도체 유리기판 양산 경쟁: 2.0mm TGV에서 미세균열·충진·휨 제어가 핵심인 이유 더 읽기"
반도체와 디스플레이 산업에서 웨이퍼 대구경화는 오랫동안 생산성을 높이는 핵심 방법 가운데 하나였다. 실리콘 산업은 이미 300mm 생산 체계를 광범위하게 사용하고 있으며, SiC 역시 150mm에서 200mm로 이동한 뒤 최근에는 300mm 기술 개발까지 진행되고 있다. 사파이어 웨이퍼에서도 비슷한 변화가 나타나고 있다. 현재 사파이어 기판의 실제 시장에서는 2인치, 4인치, 6인치 및 8인치가 여전히 중요한 규격이지만, MicroLED, GaN 기반
12인치 사파이어 웨이퍼의 새로운 기회: MicroLED·RF 공정용 박형 기판의 TTV·Warp·Edge Chipping 관리 더 읽기"
탄화규소(SiC) 기판 시장은 지난 몇 년 동안 빠르게 변했다. 전기자동차와 고전압 전력반도체 시장의 성장 기대에 따라 생산능력이 크게 확대되었고, 특히 6인치 SiC 기판에서는 공급업체 증가와 생산능력 확대로 가격 경쟁이 심화됐다. 하지만 8인치 SiC 시장에서는 상황이 조금 다르다. 2026년 SiC 산업의 핵심 경쟁 기준은 단순히 “8인치 웨이퍼를 만들 수 있는가”에서 “8인치 웨이퍼를 얼마나 안정적인 품질로 반복
8인치 SiC 기판 시장이 가격 경쟁에서 품질 경쟁으로 전환되는 이유: 결함·TTV·Bow·Warp·표면 품질과 공급망 변화 더 읽기"
전력반도체 산업에서 탄화규소(SiC) 기판의 대구경화가 빠르게 진행되고 있다. 현재 시장에서는 150mm 기판이 널리 사용되고 있으며 200mm 생산 전환이 진행되는 단계이지만, 최근에는 그보다 한 단계 더 큰 300mm SiC 기판 개발이 본격화되고 있다. 특히 2026년 9월에는 300mm SiC와 관련된 중요한 기술 진전이 연이어 발표됐다. 일본 레조낙은 300mm SiC 단결정 성장과 기판 가공에 성공했다고 발표했으며, 스미토모금속광산은 고품질
300mm 접합 SiC 기판이 주목받는 이유: 단결정 박막·다결정 지지기판·웨이퍼 본딩과 양산 과제 더 읽기"
생성형 AI, 고대역폭 메모리, 칩렛, 2.5D·3D 패키징 기술이 발전하면서 반도체 패키지의 크기와 배선 밀도는 빠르게 증가하고 있다. 여러 개의 고성능 칩과 메모리를 하나의 패키지 안에 집적하려면 기존 패키지 기판보다 더 큰 면적, 더 미세한 배선, 높은 치수 안정성과 정밀한 수직 연결 구조가 필요하다. 이러한 요구에 대응하는 차세대 소재 가운데 하나가 글라스 코어 기판이다. 유리는 높은
AI 반도체용 글라스 코어 기판 정밀가공: 대면적 평탄도·휨·미세 비아·금속화와 표면 품질 요구사항 더 읽기"
반도체 제조장비의 고집적화와 고출력화가 진행되면서 장비 내부에 사용되는 세라믹 부품의 역할도 점점 중요해지고 있다. 과거에는 세라믹 소재가 주로 절연체나 내열 부품으로 사용되었다면, 최근에는 정전척, 히터, 웨이퍼 핸들링 부품, 플라즈마 챔버 부품, 절연 부품, 정밀 구조 부품 및 고방열 기판 등 다양한 영역으로 적용 범위가 확대되고 있다. 특히 AI 반도체, 첨단 패키징, SiC 전력반도체 및 미세공정에서는
반도체용 첨단 세라믹 소재 선택 가이드: AlN·Si₃N₄·Al₂O₃·SiC의 열전도율·절연성·플라즈마 내성과 정밀가공 비교 더 읽기"
전기자동차, 급속 충전기, 산업용 전력변환장치, 에너지저장장치, AI 데이터센터용 전원 시스템의 고효율화가 진행되면서 SiC 전력반도체의 적용 범위가 빠르게 확대되고 있다. SiC 소자 제조에서는 기판 자체의 결정 품질도 중요하지만, 실제 활성 소자가 형성되는 에피택셜층의 품질이 소자의 항복전압, 누설전류, 온저항, 장기 신뢰성과 수율에 직접적인 영향을 미친다. 특히 생산 플랫폼이 기존 6인치에서 8인치(200 mm) SiC 웨이퍼로 확대되면서 단순히 웨이퍼
8인치 SiC 에피택셜 웨이퍼 양산 가이드: 에피층 두께·도핑 균일도·BPD 변환·에지 제외 영역과 표면 결함 관리 더 읽기"
양자컴퓨터의 성능을 높이려면 큐비트 수를 늘리는 것뿐 아니라 각 큐비트가 동일한 조건에서 안정적으로 동작하도록 만들어야 한다. 실리콘 스핀 큐비트는 기존 CMOS 공정과의 호환성, 작은 소자 크기, 긴 결맞음 시간 및 300mm 제조기술 활용 가능성 때문에 유력한 양자 반도체 플랫폼으로 평가된다. 그러나 일반적인 실리콘 웨이퍼를 그대로 사용하면 자연계에 존재하는 자성 동위원소인 ²⁹Si가 전자 스핀과 상호작용한다. 이
양자 반도체용 동위원소 정제 ²⁸Si/SiGe 헤테로구조: 핵스핀 잡음·에피택시 품질·계면 거칠기와 웨이퍼 균일도 더 읽기"
